【北洋微电讲堂第十二期预告】Recent Advances in GaN HEMT Technology Reaearch At Peking University

报告时间:10月22日(周一)下午13:30

报告地点:26-D-212与

报告题目:Recent Advances in GaN HEMT Technology Reaearch At Peking University

报告人:Cheng Paul (CP) Wen,IEEE Life Fellow ;1963年获得密歇根大学电气工程系博士学位。1963年至1974年在RCA实验室的MTS工作,开发出噪声最低的行波放大器;发明了代表第一种模式选择方案的电子激光彩色开关;演示了第一个SAW编码器/解码器;发明了共面波导(CPW);负责开发p型硅毫米波IMPATT振荡器。从1974年到1982年,担任罗克韦尔国立部门负责人。1982年至1998年,担任Hughes Aircraft / Raytheon Systems Co.首席科学家,部门经理。开发出超高峰值功率(> 25W)W波段Si IMPATT振荡器,领导团队开发和制造用于汽车应用的InSb磁场传感器芯片(汽车火花塞定时控制的关键技术);开创性的基于CPW的倒装芯片微波技术;发明了具有内在功能的长波长红外探测器事件歧视能力;领导团队开发基于GaAs的MMIC技术。自2004年以来,担任北京大学微电子研究所客座教授。研究工作促进了对极性半导体异质结(GaN HEMT)结构特性的理解,以及极化感应电荷对如何影响III族氮化物半导体器件的性能。